HTYHM-H絕緣(yuán)子鹽灰一(yī)體機(jī)測試(shì)儀

HTYHM-H絕(jué)緣子(zǐ)鹽(yán)灰一(yī)體機測(cè)試儀用於檢(jiǎn)測電力綫路中絕緣(yuán)子的汙穢(huì)附著情(qíng)況，該(gāi)儀(yí)器可一(yī)次測量絕緣(yuán)子(zǐ)鹽密(mì)度和灰密(mì)度，簡(jiǎn)化了絕緣(yuán)子汙(wū)穢(huì)檢測(cè)的(dí)流程(chéng)，非(fēi)常適合巡(xún)檢(jiǎn)現(xiàn)場(cháng)和實(shí)驗室(shì)使用
。電力綫路中絕(jué)緣子的汙(wū)穢(huì)程度主(zhǔ)要(yào)通(tōng)過(guò)鹽密(mì)度(dù)（ESDD）和灰密(mì)度(dù)的（NSDD）來(lái)表征，該儀(yí)器同時具備測(cè)量(liáng)鹽(yán)密(mì)度和灰密(mì)度的(dí)功能
。內置(zhì)了常用(yòng)溶(róng)液(yè)體積
，絕緣子型(xíng)號，方(fāng)便(biàn)用(yòng)戶(hù)直(zhí)接(jiē)調(tiáo)用，絕緣(yuán)子(zǐ)型(xíng)號與表(biǎo)麵積支(zhī)持用戶自定(dìng)義，增加數據(jù)保(bǎo)存(cún)功能(néng)，可(kě)保(bǎo)存(cún)十萬組測試數(shù)據，本機(jī)查看數(shù)據，支(zhī)持U盤導(dǎo)出數據，並配有(yǒu)上位機數據處理軟(ruǎn)件，方(fāng)便(biàn)用戶(hù)在(zài)計算機上(shàng)查看
，編輯
，導(dǎo)出(chū)Excel表格(gé)
。

2
，功(gōng)能說(shuō)明

2.1 儀器構(gòu)成

檢測(cè)儀(yí)各部(bù)分組(zǔ)成如圖2.1，各(gè)部(bù)分功能如(rú)下(xià)：

顯(xiǎn)示屏(píng)：該顯(xiǎn)示(shì)屏為觸摸(mō)顯示屏，除顯(xiǎn)示(shì)測量結果(guǒ)等數據外(wài)還(huán)可通過觸(chù)摸屏輸入參(cān)數
，操(cāo)作(zuò)檢測
，歷(lì)史記錄查看等(děng)功(gōng)能
。

打印機(jī)：以小票(piào)形(xíng)式(shì)打(dǎ)印檢(jiǎn)測結果，需(xū)要(yào)自行更(gēng)換(huàn)打印(yìn)紙
。

檢(jiǎn)測(cè)口：待檢(jiǎn)測(cè)的溶液可(kě)通(tōng)過檢(jiǎn)測口(kǒu)倒(dǎo)入(rù)內部(bù)檢測(cè)容(róng)器以(yǐ)便(biàn)進(jìn)行測量(liáng)
。

排(pái)水(shuǐ)口(kǒu)：測量完成後用來排出(chū)被測溶(róng)液，排水(shuǐ)前要插(chā)入儀(yí)器配(pèi)套(tào)的(dí)排水(shuǐ)管(guǎn)
。

充電口(kǒu)：使用配(pèi)套充(chōng)電(diàn)器通(tōng)過(guò)充電口(kǒu)給(gěi)儀(yí)器充電(diàn)
。

排水(shuǐ)鍵：控製儀器排(pái)水功(gōng)能(néng)，當檢(jiǎn)測結(jié)束(shù)後可按下此(cǐ)按鍵將(jiāng)加入檢(jiǎn)測口的(dí)溶液(yè)通過(guò)排水(shuǐ)口(kǒu)排出
。

電(diàn)源鍵(jiàn)：控製(zhì)儀器(qì)總電(diàn)源，按(àn)下(xià)儀(yí)器開(kāi)機(jī)
。

USB口：可(kě)插(chā)入儀器(qì)配(pèi)套U盤進行數據導出或(huò)程序(xù)升級(jí)
。

2.2 主(zhǔ)要(yào)參數表(biǎo)及相關術語

相(xiāng)關術語(yǔ)：

1
，參照(zhào)盤(pán)形懸式(shì)絕(jué)緣子 reference cap and pin insulator

XP-70
，XP-160
，LXP-70和LXP-160普(pǔ)通(tōng)盤(pán)形(xíng)懸(xuán)式絕緣子（根(gēn)據GB/T 7253），通常7~9片(piàn)組成一串用(yòng)來(lái)測量現場汙穢度
。

2
，爬電距離 creepage distance

在兩(liǎng)個導電部分之間，沿(yán)絕緣體(tǐ)表麵的最短(duǎn)距(jù)離
。

注(zhù)：水(shuǐ)泥或(huò)其(qí)他非絕緣(yuán)膠合材料表麵不認為(wéi)是(shì)爬電距離的構成部(bù)分
。如果(guǒ)絕(jué)緣子的(dí)絕緣件(jiàn)的(dí)某些(xiē)部(bù)分(fēn)覆(fù)蓋(gài)有(yǒu)高電阻(zǔ)層(céng)，則(zé)該部分應認為(wéi)是(shì)有(yǒu)效絕緣表麵並(bìng)且沿其上(shàng)麵的距離應包(bāo)括在(zài)爬(pá)電距離內
。

3
，統一爬電(diàn)比距(jù) unified specific creepage distance（USCD）

絕(jué)緣(yuán)子(zǐ)的爬(pá)電(diàn)距離(lí)與其兩(liǎng)端承擔的最(zuì)高(gāo)運(yùn)行電壓（對於交流(liú)係(xì)統，為最(zuì)高(gāo)相(xiāng)電(diàn)壓）之(zhī)比(bǐ)，mm/kV
。

4
，附鹽密度 salt deposit density（SDD）

人工塗覆(fù)於(yú)給定(dìng)絕(jué)緣子表麵（不包括金(jīn)屬部件和裝(zhuāng)配(pèi)材(cái)料）上(shàng)氯化鈉總(zǒng)量(liáng)除以表(biǎo)麵積(jī)，mg/cm²
。

5
，等值附(fù)鹽(yán)密(mì)度(dù) equivalent salt deposit density（ESDD）

絕(jué)緣子(zǐ)單(dān)位絕緣表(biǎo)麵(miàn)上的等(děng)值(zhí)附鹽量，mg/cm²
。

6
，不溶(róng)物密(mì)度(dù)（簡稱(chēng)灰密(mì)） non soluble deposit density（NSDD）

絕緣子(zǐ)單位(wèi)絕(jué)緣(yuán)表麵上(shàng)清(qīng)洗(xǐ)的(dí)非可(kě)溶殘留(liú)物總量除以表麵積，mg/cm²
。

7
，現場等值鹽度(dù) site equivalent salinity（SES）

根(gēn)據(jù)GB/T 4585進行鹽霧(wù)試驗時(shí)的鹽(yán)度
。用(yòng)該鹽度試驗(yàn)，在(zài)相(xiāng)同絕(jué)緣子和相(xiāng)同(tóng)電壓下，產生(shēng)的泄露電(diàn)流峰值(zhí)與現(xiàn)場自(zì)然汙穢條件下(xià)的(dí)泄(xiè)露電(diàn)流基本(běn)相(xiāng)同(tóng)
。

8
，現場(cháng)汙穢(huì)度 site pollution severity（SPS）

在(zài)適當(dāng)的(dí)時間段內測量到(dào)的(dí)汙(wū)穢(huì)嚴重程度(dù)ESDD/NSDD或SES的(dí)最大(dà)值(zhí)
。

9
，現(xiàn)場汙穢度等(děng)級 site pollution severity class

將(jiāng)汙穢嚴(yán)重(zhòng)程(chéng)度從非常輕到(dào)非(fēi)常(cháng)嚴(yán)重(zhòng)按SPS的(dí)分(fēn)級(jí)
。

10
，帶電(diàn)係(xì)數(shù)K1 energy coefficient K1

同形(xíng)式絕(jué)緣(yuán)子帶電所測(cè)ESDD/NSDD（SES）值(zhí)與非(fēi)帶電所測ESDD/NSDD（SES）值(zhí)之比，K1一(yī)般為1.1~1.5
。